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参数资料
| 型号： | EPM2210GF256A5N |
| 厂商： | ALTERA CORP |
| 元件分类： | PLD |
| 英文描述： | FLASH PLD, PBGA256 |
| 封装： | 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-256 |
| 文件页数： | 70/108页 |
| 文件大小： | 1342K |
| 代理商： | EPM2210GF256A5N |
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4–4
Core Version a.b.c variable
Altera Corporation
MAX II Device Handbook, Volume 1
December 2007
Hot Socketing Feature Implementation in MAX II Devices
driven by 3.3 V before VCCIO and/or VCCINT are powered, and it prevents
the I/O pins from driving out when the device is not fully powered or
operational. The hot socket circuit prevents I/O pins from internally
powering VCCIO and VCCINT when driven by external signals before the
device is powered.
f
For information about 5.0-V tolerance, refer to the Using MAX II Devices
in Multi-Voltage Systems chapter in the MAX II Device Handbook.
Figure 4–2 shows a transistor-level cross section of the MAX II device I/O
buffers. This design ensures that the output buffers do not drive when
VCCIO is powered before VCCINT or if the I/O pad voltage is higher than
VCCIO. This also applies for sudden voltage spikes during hot insertion.
The VPAD leakage current charges the 3.3-V tolerant circuit capacitance.
Figure 4–2. Transistor-Level Diagram of MAX II Device I/O Buffers
The CMOS output drivers in the I/O pins intrinsically provide
electrostatic discharge (ESD) protection. There are two cases to consider
for ESD voltage strikes: positive voltage zap and negative voltage zap.
A positive ESD voltage zap occurs when a positive voltage is present on
an I/O pin due to an ESD charge event. This can cause the N+ (Drain)/
P-Substrate junction of the N-channel drain to break down and the N+
(Drain)/P-Substrate/N+ (Source) intrinsic bipolar transistor turn on to
discharge ESD current from I/O pin to GND. The dashed line (see
Figure 4–3) shows the ESD current discharge path during a positive ESD
zap.
p- substrate
p+
n- well
n+
VCCIO
n+
p- well
IOE Signal
VPAD
IOE Signal or the
Larger of VCCIO or VPAD
The Larger of
VCCIO or VPAD
Ensures 3.3-V
Tolerance and
Hot-Socket
Protection
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| EPM2210GF256C3N | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 CPLD - MAX II 1700 Macro 204 IO RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| EPM2210GF256C4 | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 CPLD - MAX II 1700 Macro 204 IO RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| EPM2210GF256C4N | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 CPLD - MAX II 1700 Macro 204 IO RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| EPM2210GF256C5 | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 CPLD - MAX II 1700 Macro 204 IO RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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