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参数资料
| 型号： | EPM2210GF256A5N |
| 厂商： | ALTERA CORP |
| 元件分类： | PLD |
| 英文描述： | FLASH PLD, PBGA256 |
| 封装： | 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-256 |
| 文件页数： | 71/108页 |
| 文件大小： | 1342K |
| 代理商： | EPM2210GF256A5N |
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Altera Corporation
4–5
December 2007
MAX II Device Handbook, Volume 1
Hot Socketing and Power-On Reset in MAX II Devices
Figure 4–3. ESD Protection During Positive Voltage Zap
When the I/O pin receives a negative ESD zap at the pin that is less than
–0.7 V (0.7 V is the voltage drop across a diode), the intrinsic
P-Substrate/N+ drain diode is forward biased. Therefore, the discharge
ESD current path is from GND to the I/O pin, as shown in Figure 4–4.
I/O
Gate
Drain
PMOS
NMOS
Source
GND
N+
P-Substrate
G
S
D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| EPM2210GF256C4N | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 CPLD - MAX II 1700 Macro 204 IO RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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