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参数资料
| 型号： | FGL35N120FTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 35A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 70A |
| 功率 - 最大： | 368W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics of the Diode
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max
Unit
V FM
t rr
I rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Diode Peak Reverse Recovery
Current
Diode Reverse Recovery Charge
I F = 35 A
I F = 35 A,
di F /dt = 200 A/ ? s
T C = 25 o C
T C = 125 o C
T C = 25 o C
T C = 125 o C
T C = 25 o C
T C = 125 o C
T C = 25 o C
T C = 125 o C
-
-
-
-
-
-
-
-
2.7
2.5
337
520
7.6
12.9
1292
3377
3.4
-
-
-
-
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-
-
V
ns
A
nC
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL35N120FTD Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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