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参数资料
| 型号： | FGL35N120FTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 35A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 70A |
| 功率 - 最大： | 368W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
180
o
20V
17V
180
o
20V
17V
150
15V
150
15V
120
90
60
12V
10V
120
90
60
12V
10V
9V
9V
30
V GE = 8V
30
V GE = 8V
0
0
2 4 6
8
0
0
2 4 6
8
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
120
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Transfer Characteristics
120
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
100
80
60
40
20
Common Emitter
V GE = 15V
o
o
100
80
60
40
20
Common Emitter
V CE = 20V
o
o
0
0
1 2 3
4
0
4
6 8 10
12
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
T C = 25 C
2.8
2.6
2.4
2.2
Common Emitter
V GE = 15V
70A
20
16
12
Common Emitter
o
2.0
35A
1.8
8
70A
1.6
I C = 18A
4
35A
1.4
Case Temperature, T C [ C ]
1.2
25
50 75 100
o
125
0
4
I C = 18A
8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL35N120FTD Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGL60N100BNTDTU | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| FGP10N60UNDF | IGBT N-CH 600V 20A TO-220-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGL40N120AN | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120AN_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120AND | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT NPT TO-264 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT TO-264 TUBE 25 |
| FGL40N120AND_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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