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参数资料
| 型号： | FGL35N120FTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 35A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 70A |
| 功率 - 最大： | 368W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
2000
Common Emitter
V CC = 600V, V GE = 15V
Figure 14. Turn-on Characteristics vs.
Collector Current
200
T C = 25 C
T C = 125 C
1000
I C = 35A
o
o
t d(off)
t f
100
t r
t d(on)
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
T C = 25 C
T C = 125 C
100
50
10
o
o
0
10 20 30 40
Gate Resistance, R G [ ? ]
50
10
20
30 40 50
Collector Current, I C [A]
60
70
T C = 25 C
T C = 125 C
Figure 15. Turn-off Characteristics vs.
? Collector Current
600
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
o
o
t d(off)
Figure 16.Switching Loss vs. Gate Resistance
8
E on
E off
T C = 25 C
100
t f
1
Common Emitter
V CC = 600V, V GE = 15V
I C = 35A
o
T C = 125 C
o
50
10
20
30 40 50
Collector Current, I C [A]
60
70
0.3
0
10
20 30 40
Gate Resistance, R G [ ? ]
50
Figure 17. Switching Loss vs. Collector Current
10
Figure 18. Turn off Switching
SOA Characteristics
200
100
E on
E off
10
1
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
T C = 25 C
T C = 125 C
V GE = 15V, T C = 125 C
0.3
10
20
30 40 50
o
o
60
70
1
1
Safe Operating Area
o
10 100 1000 3000
Collector Current, I C [A]
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL35N120FTD Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGL60N100BNTDTU | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| FGP10N60UNDF | IGBT N-CH 600V 20A TO-220-3 |
| FGP15N60UNDF | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 |
| FGP5N60LS | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
| FGPF4533 | IGBT PDP 330V TO-220-3FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGL40N120AN | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120AN_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120AND | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT NPT TO-264 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT TO-264 TUBE 25 |
| FGL40N120AND_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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