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参数资料
| 型号： | FGL35N120FTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 35A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 70A |
| 功率 - 最大： | 368W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
T C = 125 C
Figure 7. Saturation Voltage vs. V GE
20
Common Emitter
o
16
12
8
70A
Figure 8. Load Current vs. Frequency
150
V CC = 600V
load Current : peak of square wave
120
90
60
T = 100 C
4
35A
30 Duty cycle : 50%
o
C
0
I C = 18A
0
Power Dissipation = 147W
4
8 12 16
20
1
10
100
1000
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 9. Capacitance Characteristics
8000
Common Emitter
Frequency , f [kHz]
Figure 10. Gate Charge Characteristics
15
Common Emitter
T C = 25 C
T C = 25 C
6000
C ies
V GE = 0V, f = 1MHz
o
12
o
V CC = 200V
600V
400V
9
4000
6
C oes
2000
3
C res
0
1
10
30
0
0
50
100 150 200
250
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 11. SOA Characteristics
400
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 12. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
200
100
10 ? s
100
10
1
100 ? s
1ms
t r
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
T C = 25 C
T C = 125 C
0.1
0.01
1
10 ms
DC
*Notes:
o
o
3. Single Pulse
10 100 1000 4000
20
0
10
t d(on)
20
Common Emitter
V CC = 600V, V GE = 15V
I C = 35A
o
o
30 40
50
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Gate Resistance, R G [ ? ]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL35N120FTD Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGL60N100BNTDTU | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| FGP10N60UNDF | IGBT N-CH 600V 20A TO-220-3 |
| FGP15N60UNDF | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 |
| FGP5N60LS | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
| FGPF4533 | IGBT PDP 330V TO-220-3FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGL40N120AN | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120AN_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120AND | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT NPT TO-264 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT TO-264 TUBE 25 |
| FGL40N120AND_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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