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参数资料
| 型号： | FGL35N120FTDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 35A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 70A |
| 功率 - 最大： | 368W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Forward Characteristics ?????????????
50
Figure 20. Reverse Recovery Current
8
7
di F /dt = 200A/ ? s
T J = 125 C
T J = 25 C
10
o
o
6
5
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
1
0.2
o
o
4
3
di F /dt = 100A/ ? s
o
0.0
0.5
1.0 1.5 2.0
2.5
3.0
10
20 30
40
Forward Voltage, V F [V]
Figure 21. Stored Charge ????
1.4
Forward Current, I F [A]
Figure 22. Reverse Recovery Time
600
500
1.2
di F /dt = 200A/ ? s
di F /dt = 100A/ ? s
400
1.0
0.8
di F /dt = 100A/ ? s
300
200
di F /dt = 200A/ ? s
T C = 25 C
T C = 25 C
0.6
o
100
o
10
20
30
40
10
20
30
40
Forward Current, I F [A]
Forward Current, I F [A]
???? Figure 23.Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01 0.02
0.01
single pulse
P DM
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
0.001
1E-5
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL35N120FTD Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGL60N100BNTDTU | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| FGP10N60UNDF | IGBT N-CH 600V 20A TO-220-3 |
| FGP15N60UNDF | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 |
| FGP5N60LS | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGL40N120AN | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120AN_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120AND | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT NPT TO-264 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT TO-264 TUBE 25 |
| FGL40N120AND_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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