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参数资料
| 型号： | HY29F800ATG-90 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| 封装： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件页数： | 23/40页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | HY29F800ATG-90 |
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23
Rev. 1.1/Feb 02
HY29F800A
TEST CONDITIONS
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalen
Table 7. Test Specifications
t
e
T
o
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C
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Figure 11. Test Setup
Measurement Level
1.5 V
Output
I
nput
1.5 V
0.0 V
3.0 V
HY29F800A-50, -55 Version
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F800A-70, -90 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
n
0
5
T
0
5
5
5
-
-
1
3
0
0
7
9
-
-
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G
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1
2
4
4
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KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
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PDF描述 |
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