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参数资料
| 型号： | IS61VPS51218A-250B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 18/35页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | IS61VPS51218A-250B3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc.
25
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
TAP Electrical Characteristics OvertheOperatingRange(1,2)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Units
VOh1
OutputHIGHVoltage
IOh=–2.0mA
1.7
—
V
VOh2
OutputHIGHVoltage
IOh=–100A
2.1
—
V
VOl1
OutputLOWVoltage
IOl=2.0mA
—
0.7
V
VOl2
OutputLOWVoltage
IOl=100A
—
0.2
V
VIh
InputHIGHVoltage
1.7
Vdd+0.3V
VIl
InputLOWVoltage
–0.3
0.7
V
Ix
Input Leakage Current
Vss ≤VI≤Vddq
–10
10
A
Notes:
1. AllVoltagereferencedtoGround.
2. Overshoot:VIh (AC) ≤Vdd+1.5Vfort
≤ tTcyc/2,
Undershoot:VIl (AC)
≤ 0.5Vfort≤ tTcyc/2,
Power-up:VIh<2.6VandVdd<2.4VandVddq<1.4Vfort<200ms.
TAP AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1,2) (OVER OPERATINg RANgE)
Symbol Parameter
Min.
Max.
Unit
tTcyc
TCKClockcycletime
100
—
ns
fTf
TCKClockfrequency
—
10
MHz
tTh
TCKClockHIGH
40—
ns
tTl
TCKClockLOW
40
—
ns
tTMss
TMSsetuptoTCKClockRise
10
—
ns
tTdIs
TDIsetuptoTCKClockRise
10
—
ns
tcs
CapturesetuptoTCKRise
10
—
ns
tTMsh
TMSholdafterTCKClockRise
10
—
ns
tTdIh
TDIHoldafterClockRise
10
—
ns
tch
Capture hold after Clock Rise
10
—
ns
tTdOV
TCKLOWtoTDOvalid
—
20
ns
tTdOx
TCKLOWtoTDOinvalid
0
—
ns
Notes:
1.Bothtcs and tch refertotheset-upandholdtimerequirementsoflatchingdatafromtheboundaryscanregister.
2.TestconditionsarespecifiedusingtheloadinTAPACtestconditions.tr/tf=1ns.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61VPS51218A-250B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51236A-200B2 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS62WV10248DBLL-45MLI | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VPS51232-166TQI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61VPS51236A-200B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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