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参数资料
| 型号： | IS61VPS51218A-250B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 9/35页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | IS61VPS51218A-250B3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc.
17
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
READ/WRITE CYCLE SWITCHINg CHARACTERISTICS (OverOperatingRange)
-250
-200
-166
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
fMAx
ClockFrequency
— 250
— 200
— 166
MHz
tkc
CycleTime
4.0 —
5 —
6
—
ns
tkh
ClockHighTime
1.7 —
2 —
2.4
—
ns
tkl
ClockLowTime
1.7 —
2 —
2.3
—
ns
tkq
ClockAccessTime
— 2.6
— 3.1
— 3.8
ns
tkqx(2)
ClockHightoOutputInvalid
0.8 —
1.5 —
1.5
—
ns
tkqlZ(2,3)
ClockHightoOutputLow-Z
0.8 —
1 —
1.5
—
ns
tkqhZ(2,3)
ClockHightoOutputHigh-Z
— 2.6
— 3.0
3.5
—
ns
tOEq
OutputEnabletoOutputValid
— 2.6
— 3.1
3.5
—
ns
tOElZ(2,3)
OutputEnabletoOutputLow-Z
0
—
0 —
0
—
ns
tOEhZ(2,3)
OutputDisabletoOutputHigh-Z
— 2.6
— 3.0
3.5
—
ns
tAs
AddressSetupTime
1.2 —
1.4 —
1.7
—
ns
tWs
Read/WriteSetupTime
1.2 —
1.4 —
1.7
—
ns
tcEs
ChipEnableSetupTime
1.2 —
1.4 —
1.7
—
ns
tAVs
AddressAdvanceSetupTime
1.2 —
1.4 —
1.7
—
ns
tds
DataSetupTime
1.2 —
1.4 —
1.7
—
ns
tAh
AddressHoldTime
0.3 —
0.4 —
0.7
—
ns
tWh
WriteHoldTime
0.3 —
0.4 —
0.7
—
ns
tcEh
ChipEnableHoldTime
0.3 —
0.4 —
0.7
—
ns
tAVh
AddressAdvanceHoldTime
0.3 —
0.4 —
0.7
—
ns
tdh
DataHoldTime
0.3 —
0.4 —
0.7
—
ns
tPds
ZZHightoPowerDown
—
2
—
2
—
2
cyc
tPus
ZZLowtoPowerDown
—
2
—
2
—
2
cyc
Note:
1.ConfigurationsignalMODEisstaticandmustnotchangeduringnormaloperation.
2.Guaranteedbutnot100%tested.Thisparameterisperiodicallysampled.
3. TestedwithloadinFigure2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61VPS51218A-250B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
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| IS61VPS51218A-250TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51236A-200B2 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS62WV10248DBLL-45MLI | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VPS51232-166TQI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
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| IS61VPS51236A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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