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参数资料
| 型号： | IS61VPS51218A-250B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 30/35页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | IS61VPS51218A-250B3 |
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4
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
119 BGA PACKAGE PIN CONFIGURATION-256k x 36 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
1
2
3
4
5
6
7
A
VDDQ
A
ADSP
A
VDDQ
B
NC
CE2
A
ADSC
A
NC
C
NC
A
VDD
A
NC
D
DQc
DQPc
Vss
NC
Vss
DQPb
DQb
E
DQc
Vss
CE
Vss
DQb
F
VDDQ
DQc
Vss
OE
Vss
DQb
VDDQ
g
DQc
BWc
ADV
BWb
DQb
H
DQc
Vss
GW
Vss
DQb
J
VDDQ
VDD
NC
VDD
NC
VDD
VDDQ
K
DQd
Vss
CLK
Vss
DQa
L
DQd
BWd
NC
BWa
DQa
M
VDDQ
DQd
Vss
BWE
Vss
DQa
VDDQ
N
DQd
Vss
A1*
Vss
DQa
P
DQd
DQPd
Vss
A0*
Vss
DQPa
DQa
R
NC
A
MODE
VDD
NC
A
NC
T
NC
A
NC
ZZ
U
VDDQ
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
VDDQ
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
SynchronousBurstAddressInputs
ADV
SynchronousBurstAddress
Advance
ADSP
AddressStatusProcessor
ADSC
Address Status Controller
GW
GlobalWriteEnable
CLK
Synchronous Clock
CE
,CE2
Synchronous Chip Select
BW
x(x=a-d) SynchronousByteWriteControls
BWE
ByteWriteEnable
Symbol
Pin Name
OE
OutputEnable
ZZ
PowerSleepMode
MODE
BurstSequenceSelection
TCK,TDO
JTAGPins
TMS,TDI
NC
No Connect
DQa-DQd
DataInputs/Outputs
DQPa-Pd
OutputPowerSupply
Vdd
PowerSupply
Vddq
OutputPowerSupply
Vss
Ground
Note: * A0 and A1arethetwoleastsignificantbits(LSB)oftheaddressfieldandsettheinternalburstcounterifburstisdesired.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61VPS51218A-250B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51236A-200B2 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS62WV10248DBLL-45MLI | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VPS51232-166TQI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61VPS51236A-200B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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