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参数资料
| 型号： | IS61VPS51218A-250B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 5/35页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | IS61VPS51218A-250B3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc.
13
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
OPERATINg RANgE (IS61LPSxxxxx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
3.3V+ 5%
3.3V/2.5V+ 5%
Industrial
–40°Cto+85°C
3.3V+ 5%
3.3V/2.5V+ 5%
OPERATINg RANgE (IS61VPSxxxxx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
2.5V+ 5%
Industrial
–40°Cto+85°C
2.5V+ 5%
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (OverOperatingRange)
3.3V
2.5V
Symbol Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
VOh
OutputHIGHVoltage
IOh = –4.0mA(3.3V)
2.4
—
2.0
—
V
IOh = –1.0mA(2.5V)
VOl
OutputLOWVoltage
IOl = 8.0mA(3.3V)
—
0.4
—
0.4
V
IOl = 1.0mA(2.5V)
VIh
InputHIGHVoltage
2.0
Vdd +0.3
1.7
Vdd + 0.3
V
VIl
InputLOWVoltage
-0.3
0.8
-0.3
0.7
V
IlI
InputLeakageCurrent
Vss≤ VIN ≤ Vdd(1)
-5
5
-5
5
A
IlO
OutputLeakageCurrent Vss≤ VOuT ≤ Vddq,
-5
5
-5
5
A
OE
= VIh
OPERATINg RANgE (IS64LPSxxxxx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Automotive
–40°Cto+125°C
3.3V+ 5%
3.3V/2.5V+ 5%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61VPS51218A-250B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51236A-200B2 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS62WV10248DBLL-45MLI | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VPS51232-166TQI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61VPS51236A-200B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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