参数资料
型号: IS61VPS51218A-250B3
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165
封装: 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165
文件页数: 34/35页
文件大小: 562K
代理商: IS61VPS51218A-250B3
8
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
DQPb
DQb
VDDQ
VSS
DQb
VSS
VDDQ
DQb
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
VSS
DQa
VSS
VDDQ
DQa
DQPa
A
CE
CE2
BWd
BWc
BWb
BWa
CE
2
VDD
VSS
CL
K
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
DQPc
DQc
VDDQ
VSS
DQc
VSS
VDDQ
DQc
NC
VDD
NC
VSS
DQd
VDDQ
VSS
DQd
VSS
VDDQ
DQd
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A
A1
A0
NC
VSS
VDD
NC
A
46 47 48 49 50
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
SynchronousAddressInputs.These
pinsmusttiedtothetwoLSBsofthe
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
ADSC
Synchronous Controller Address Status
ADSP
SynchronousProcessorAddressStatus
ADV
SynchronousBurstAddressAdvance
BWa
-BWd
SynchronousByteWriteEnable
BWE
SynchronousByteWriteEnable
CE
, CE2, CE2 SynchronousChipEnable
CLK
Synchronous Clock
DQa-DQd
SynchronousDataInput/Output
DQPa-DQPd
ParityDataInput/Output
GW
SynchronousGlobalWriteEnable
MODE
BurstSequenceModeSelection
OE
OutputEnable
Vdd
3.3V/2.5VPowerSupply
Vddq
IsolatedOutputBufferSupply:
3.3V/2.5V
Vss
Ground
ZZ
SnoozeEnable
PIN CONFIGURATION
(3 Chip-Enable option)
100-PIN TQFP (256K x 36)
DQPb
DQb
VDDQ
VSS
DQb
VSS
VDDQ
DQb
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
VSS
DQa
VSS
VDDQ
DQa
DQPa
A
CE
CE2
BWd
BWc
BWb
BWa
A
V
DD
VSS
CL
K
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
DQPc
DQc
VDDQ
VSS
DQc
VSS
VDDQ
DQc
NC
VDD
NC
VSS
DQd
VDDQ
VSS
DQd
VSS
VDDQ
DQd
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A
A1
A0
NC
VSS
V
DD
NC
A
46 47 48 49 50
(2 Chip-Enable option)
相关PDF资料
PDF描述
IS61VPS51218A-250B3I 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61VPS51218A-250TQ 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61VPS51218A-250TQI 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61VPS51236A-200B2 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS62WV10248DBLL-45MLI 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48
相关代理商/技术参数
参数描述
IS61VPS51232-166TQI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS61VPS51236A-200B3 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VPS51236A-200B3I 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VPS51236A-200B3I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VPS51236A-200B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray