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参数资料
| 型号： | IS61VPS51218A-250B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 6/35页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | IS61VPS51218A-250B3 |
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14
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS(1) (OverOperatingRange)
-250
-200
-166
MAx
Symbol Parameter
Test Conditions
Temp. range
x18
x36
x18
x36
x18 x36
Unit
Icc
ACOperating
DeviceSelected,
Com.
275 275
250 250
225 225
mA
Supply Current
OE
= VIh, ZZ ≤ VIl,
Ind.
300 300
275 275
250 250
All Inputs ≤ 0.2V or
Auto.
300 300
≥ Vdd – 0.2V,
CycleTime≥ tkc min.
Isb
StandbyCurrent
DeviceDeselected,
Com.
150 150
mA
TTLInput
Vdd = Max.,
Ind.
150 150
150 150
150 150
All Inputs ≤ VIl or ≥ VIh,
AuTO.
200 200
ZZ ≤ VIl, f=Max.
IsbI
StandbyCurrent
DeviceDeselected,
Com.
100 100
mA
cMOs Input
Vdd = Max.,
Ind.
105 105
105 105
105 105
VIN ≤Vss +0.2Vor
Auto.
130 130
≥Vdd –0.2V
f=0
Note:
1. MODEpinhasaninternalpullupandshouldbetiedtoVddorVss.Itexhibits±100Amaximumleakagecurrentwhentiedto≤
Vss+0.2Vor≥Vdd–0.2V.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61VPS51218A-250B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250TQ | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51236A-200B2 | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS62WV10248DBLL-45MLI | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VPS51232-166TQI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61VPS51236A-200B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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