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参数资料
| 型号： | IS61VPS51218A-250B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 20/35页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | IS61VPS51218A-250B3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc.
27
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
119 BgA BOUNDARY SCAN ORDER (256K x 36)
Signal Bump
Bit # Name
ID
Bit # Name
ID
Bit # Name
ID
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ID
1
A
2R
19
DQb
7G
37
BWa
5L
55
DQd
2K
2
A
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DQb
6F
38
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5G
56
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1L
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4T
21
DQb
7E
39
BWc
3G
57
DQd
2M
4
A
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7D
40
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3L
58
DQd
1N
5
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6R
23
DQb
7H
41
CE2
2B
59
DQd
1P
6
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CE
4E
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1K
7
A
5B
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6E
43
A
3A
61
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8
DQa
6P
26
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6D
44
A
2A
62
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DQa
7N
27
A
6A
45
DQc
2D
63
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2P
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DQa
6M
28
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5A
46
DQc
1E
64
MODE
3R
11
DQa
7L
29
ADV
4G
47
DQc
2F
65
A
2C
12
DQa
6K
30
ADSP
4A
48
DQc
1G
66
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13
DQa
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31
ADSC
4B
49
DQc
2H
67
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14
DQa
6N
32
OE
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50
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1D
68
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6C
15
DQa
6L
33
BWE
4M
51
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2E
69
A1
4N
16
DQa
7K
34
GW
4H
52
DQc
2G
70
A0
4P
17
ZZ
7T
35
CLK
4K
53
DQc
1H
18
DQb
6H
36
A
6B
54
NC
5R
119 BgA BOUNDARY SCAN ORDER (512K x 18)
Signal Bump
Bit # Name
ID
Bit # Name
ID
Bit # Name
ID
Bit # Name
ID
1
A
2R
14
DQa
7G
27
CLK
4K
40
DQb
2K
2
A
2T
15
DQa
6F
28
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6B
41
DQb
1L
3
A
3T
16
DQa
7E
29
BWa
5L
42
DQb
2M
4
A
5T
17
DQa
6D
30
BWb
3G
43
DQb
1N
5
A
6R
18
A
6T
31
CE2
2B
44
DQb
2P
6
A
3B
19
A
6A
32
CE
4E
45
MODE
3R
7
A
5B
20
A
5A
33
A
3A
46
A
2C
8
DQa
7P
21
ADV
4G
34
A
2A
47
A
3C
9
DQa
6N
22
ADSP
4A
35
DQb
1D
48
A
5C
10
DQa
6L
23
ADSC
4B
36
DQb
2E
49
A
6C
11
DQa
7K
24
OE
4F
37
DQb
2G
50
A1
4N
12
ZZ
7T
25
BWE
4M
38
DQb
1H
51
A0
4P
13
DQa
6H
26
GW
4H
39
NC
5R
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PDF描述 |
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| IS62WV10248DBLL-45MLI | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VPS51232-166TQI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61VPS51236A-200B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VPS51236A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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