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参数资料
| 型号： | M25PE40VMW6G |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
| 文件页数： | 38/62页 |
| 文件大小： | 565K |
| 代理商： | M25PE40VMW6G |
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M25PE40
Power-up and power-down
43/62
Figure 24.
Power-up timing
Table 11.
Power-up timing and VWI threshold
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
tVSL
(1)
1. These parameters are characterized only, over the temperature range –40 °C to +85 °C.
VCC(min) to S low
30
s
tPUW
Time delay before the first Write, Program or Erase instruction
1
10
ms
VWI
Write Inhibit voltage
1.5
2.5
V
VCC
AI04009C
VCC(min)
VWI
Reset state
of the
device
Chip selection not allowed
Program, Erase and Write commands are rejected by the device
tVSL
tPUW
time
Read access allowed
Device fully
accessible
VCC(max)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M27C1024-10F1X | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
| M27C1024-10F3TR | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
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| M27C1024-10F6TR | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
| M27C1024-10F6X | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M25PE40-VMW6G | 功能描述:闪存 4 Mbit Lo Vltg Page Erasable Seral 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M25PE40-VMW6G_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M25PE40VMW6P | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability, 50 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE40-VMW6P | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, page-erasable serial Flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE40VMW6TG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability, 50 MHz SPI bus, standard pinout |
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