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参数资料
| 型号： | M25PE40VMW6G |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8 |
| 文件页数： | 43/62页 |
| 文件大小： | 565K |
| 代理商： | M25PE40VMW6G |
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DC and AC parameters
M25PE40
M
Table 19.
AC characteristics (25 MHz operation)
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
fC
Clock frequency for the following instructions:
FAST_READ, PW, PP, PE, SE, DP, RDP,
WREN, WRDI, RDSR
D.C.
25
MHz
fR
Clock frequency for READ instructions
D.C.
20
MHz
tCH
(1)
tCLH
Clock High time
18
ns
tCL
tCLL
Clock Low time
18
ns
Clock Slew rate (peak-to-peak)
0.1
V/ns
tSLCH
tCSS
S Active Setup time (relative to C)
10
ns
tCHSL
S Not Active Hold time (relative to C)
10
ns
tDVCH
tDSU
Data In Setup time
5
ns
tCHDX
tDH
Data In Hold time
5
ns
tCHSH
S Active Hold time (relative to C)
10
ns
tSHCH
S Not Active Setup time (relative to C)
10
ns
tSHSL
tCSH
S Deselect time
100
ns
tSHQZ
(2)
tDIS
Output Disable time
15
ns
tCLQV
tV
Clock Low to Output Valid
15
ns
tCLQX
tHO
Output Hold time
0
ns
tTHSL
Top Sector Lock Setup time
50
ns
tSHTL
Top Sector Lock Hold time
100
ns
tDP
S to Deep Power-down
3
s
tRDP
S High to Standby Power mode
30
s
tPW
(3)
Page Write cycle time (256 bytes)
11
25
ms
Page Write cycle time (n bytes)
10.2+
n*0.8/256
tPP
Page Program cycle time (256 bytes)
1.2
5ms
Page Program cycle time (n bytes)
0.4+
n*0.8/256
tPE
Page Erase cycle time
10
20
ms
tSE
Sector Erase cycle time
1
5
s
1.
tCH + tCL must be greater than or equal to 1/ fC.
2.
Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
3.
When using PP and PW instructions to update consecutive bytes, optimized timings are obtained with one sequence
including all the bytes versus several sequences of only a few bytes (1
≤ n ≤ 256).
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