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参数资料
| 型号： | MC68HCP11A1CFNE3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, EEPROM, 3 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC52 |
| 封装： | PLASTIC, LCC-52 |
| 文件页数： | 86/158页 |
| 文件大小： | 776K |
| 代理商： | MC68HCP11A1CFNE3 |
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MC68HC11A8
ON-CHIP MEMORY
MOTOROLA
TECHNICAL DATA
3-7
3
EELAT — EEPROM Latch Control
0 = EEPROM Address and Data Configured for Read Mode
1 = EEPROM Address and Data Configured for Programming/Erasing
EEPGM — EEPROM Programming Voltage Enable
0 = Programming Voltage Switched Off
1 = Programming Voltage Turned On
If an attempt is made to set both the EELAT and EEPGM bits in the same write cycle,
neither will be set. If a write to an EEPROM address is performed while the EEPGM
bit is set, the write is ignored and the programming operation currently in progress is
not disturbed. These two safeguards were included to prevent accidental EEPROM
changes in cases of program runaway. Mask sets A38P, A49N, and date codes before
86xx did not have these safeguards.
3.5.2 Programming/Erasing Internal EEPROM
The EEPROM programming and erasure process is controlled by the PPROG regis-
ter. The following paragraphs describe the various operations performed on the EE-
PROM and include example program segments to demonstrate programming and
erase operations.
These program segments are intended to be simple straightforward examples of the
sequences needed for basic program and erase operations. There are no special re-
strictions on the address modes used and bit manipulation instructions may be used.
Other MCU operations can continue to be performed during EEPROM programming
and erasure provided these operations do not include reads of data from EEPROM
(the EEPROM is disconnected from the read data bus during EEPROM program and
erase operations). The subroutine DLY10 used in these program segments is not
shown but can be any set of instructions which takes ten milliseconds.
3.5.2.1 Read
For the read operation the EELAT bit in the PPROG register must be clear. When this
bit is cleared, the remaining bits in the PPROG register have no meaning or effect, and
the EEPROM may be read as if it were a normal ROM.
3.5.2.2 Programming
During EEPROM programming, the ROW and BYTE bits are not used. If the E clock
frequency is 1 MHz or less, the CSEL bit in the OPTION register must be set. Recall
that in this EEPROM, zeros must be erased by a separate erase operation before pro-
gramming. The following program segment demonstrates how to program an EE-
PROM byte.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC68HLC705KJ1C | 8-BIT, OTPROM, 4 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP16 |
| MC68HRC08JK1CDW | 8-BIT, MROM, 4 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO20 |
| MC68HC08JK1CP | 8-BIT, MROM, 4 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP20 |
| MC68HC08JK1CDW | 8-BIT, MROM, 4 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO20 |
| MC68HC08JK3MDW | 8-BIT, MROM, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO20 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC68HCP11A1FN | 制造商:MOTORALA 功能描述: |
| MC68HCP11E0CP2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MC68HCP11E0FN | 功能描述:MICROCONTROLLER MCU 8ADC 3MHC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC11 标准包装:250 系列:56F8xxx 核心处理器:56800E 芯体尺寸:16-位 速度:60MHz 连通性:CAN，SCI，SPI 外围设备:POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:21 程序存储器容量:40KB（20K x 16） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 6x12b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:48-LQFP 包装:托盘 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC68HCP11E0FNE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 512RAM COP A/D RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| MC68HCP11E1CFNE2 | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 512 BYTES RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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