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参数资料
型号： MRF6V12500HR5
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 10/15页
文件大小： 959K
描述： FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H
标准包装： 1
晶体管类型： LDMOS
频率： 1.03GHz
增益： 19.7dB
电压 - 测试： 50V
电流 - 测试： 200mA
功率 - 输出： 500W
电压 - 额定： 100V
封装/外壳： NI-780
供应商设备封装： NI-780
包装： 标准包装
其它名称： MRF6V12500HR5DKR
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
Figure 2. MRF6V12500HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
R3
CUT OUT AREA
MRF6V12500H Rev. 1
C9
C8
C7
C3
R1
C1
R4
C11 C10
R2
C4
C6
C16
C2
C12
C5
C13
C14
C15
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PDF描述
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参数描述
MRF6V12500HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12500HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V13250HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V13250HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V13250HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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