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参数资料
| 型号： | MRF6V12500HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 959K |
| 描述： | FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.03GHz |
| 增益： | 19.7dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 500W |
| 电压 - 额定： | 100V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6V12500HR5DKR |
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
0.1
10000
02010
30
40
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Capacitance versus Drain--Source Voltage
C, CAPACITANCE (pF)
Ciss
10
1
Coss
Crss
Measured with
±30 mV(rms)ac @ 1 MHz
VGS
=0Vdc
100
0
160
0
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA
f = 1030 MHz, Pulse Width = 128
μsec
52010
15
100
DUTY CYCLE (%)
Figure 4. Safe Operating Area
MAXIMUM OPERATING T
case
(
°
C)
25
140
120
80
60
40
20
Pout
= 525 W
Pout
= 475 W
Pout
= 500 W
22
30
0
100
21
20
80
60
50
40
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEAK
Figure 5. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
14
1000
Gps
18
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA, f = 1030 MHz
Pulse Width = 128
μsec, Duty Cycle = 10%
62
30
55
54
53
Pin, INPUT POWER (dBm) PEAK
Figure 6. Output Power versus Input Power
56
52
51
50
49
32 34 36 38 40 42
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
P3dB = 57.6 dBm (575 W)
Actual
Ideal
59
P1dB = 57.1 dBm (511 W)
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA, f = 1030 MHz
Pulse Width = 128
μsec, Duty Cycle = 10%
57
58
17
22
30
21
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEAK
Figure 7. Power Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
100
20
IDQ
= 800 mA
1000
600 mA
19
18
200 mA
VDD
= 50 Vdc, f = 1030 MHz
Pulse Width = 128
μsec, Duty Cycle = 10%
Figure 8. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEAK
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=30V
12
22
30
16
21
35 V
20
45 V
100 1000
50 V
19
18
17
40 V
IDQ
= 200 mA, f = 1030 MHz
Pulse Width = 128
μsec
Duty Cycle = 10%
1000
19
16
17
15
70
30
20
10
60
61
400 mA
13
15
14
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF6V12500HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V13250HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V13250HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V13250HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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