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参数资料
| 型号： | MRF6V12500HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 959K |
| 描述： | FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.03GHz |
| 增益： | 19.7dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 500W |
| 电压 - 额定： | 100V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6V12500HR5DKR |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
? 960--1215 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
1300
900
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Power Gain, Drain Efficiency and IRL
versus Frequency
1150
1100
1050
1000
950
20
18
-- 2 0
66
62
0
-- 1 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
15
14
11
10
19
17
16
58
13
12
1200 1250
VDD=50Vdc,Pout= 500 W Peak (50 W Avg.), IDQ
= 200 mA
Pulse Width = 128
μsec, Duty Cycle = 10%
600
17
22
40
65
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEAK
Figure 15. Power Gain and Drain Efficiency versus
Output Power
VDD
=50Vdc
IDQ
= 200 mA
Pulse Width = 128
μsec
Duty Cycle = 10%
250 300 350 450 500 550400
200
21
20
19
18
60
55
50
960 MHz
45
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
64
60
56
-- 5
-- 1 5
IRL, INPUT RETURN
LOSS (dB)
1150 MHz
1030 MHz
960 MHz
1215 MHz
1150 MHz
1030 MHz
1215 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V14300HSR5 | MOSFET RF N-CH 50V NI780S |
| MRF6V2010GNR5 | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V12500HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12500HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V13250HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V13250HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V13250HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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