参数资料
型号: MRF6V12500HR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 15/15页
文件大小: 959K
描述: FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H
标准包装: 1
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.03GHz
增益: 19.7dB
电压 - 测试: 50V
电流 - 测试: 200mA
功率 - 输出: 500W
电压 - 额定: 100V
封装/外壳: NI-780
供应商设备封装: NI-780
包装: 标准包装
其它名称: MRF6V12500HR5DKR
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Zo
=5?
Zload
f = 1215 MHz
f = 960 MHz
Zsource
f = 960 MHz
f = 1215 MHz
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA, Pout
= 500 W Peak
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
960
2.25 -- j1.78
1.38 -- j1.53
1030
2.51 -- j1.02
1.48 -- j1.11
1090
2.69 -- j0.73
1.51 -- j0.78
1150
2.71 -- j0.65
1.53 -- j0.49
1215
2.48 -- j0.76
1.53 -- j0.33
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance ? 960--1215 MHz
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Zsource
Zload
相关PDF资料
PDF描述
MRF6V14300HSR5 MOSFET RF N-CH 50V NI780S
MRF6V2010GNR5 MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2
MRF6V2150NBR5 MOSFET RF N-CH 50V TO272-4
MRF6V2300NR5 MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4
MRF6V3090NR5 FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF6V12500HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V12500HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V13250HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V13250HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V13250HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray