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参数资料
| 型号： | MRF6V12500HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 959K |
| 描述： | FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.03GHz |
| 增益： | 19.7dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 500W |
| 电压 - 额定： | 100V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6V12500HR5DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
062
4810
12
0
700
500
400
Pin, INPUT POWER (dBm) PEAK
Figure 9. Output Power versus Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
600
TC
=--30_C
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA, f = 1030 MHz
Pulse Width = 128
μsec, Duty Cycle = 10%
85_C
55_C
25_C
14
22
30
0
80
100
60
50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEAK
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
21
1000
25_C
TC
=--30_C
85_C
40
20
18
55_C
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA, f = 1030 MHz
Pulse Width = 128
μsec, Duty Cycle = 10%
Gps
200
100
300
19
16
17
15
70
30
20
10
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 11. MTTF versus Junction Temperature
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
108
VDD
=50Vdc
Pout
= 500 W Peak
Pulse Width = 128
μsec
Duty Cycle = 10%
ηD
= 62%
VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA, Pout
= 500 W Peak
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
1030
1.36 -- j1.27
2.50 -- j0.17
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Zsource
Zload
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PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| MRF6V12500HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF6V13250HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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