- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录93 > MRF6V12500HR5 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6V12500HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 959K |
| 描述： | FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.03GHz |
| 增益： | 19.7dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 500W |
| 电压 - 额定： | 100V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6V12500HR5DKR |
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Figure 13. MRF6V12500H(HS) Test Circuit Component Layout ? 960--1215 MHz
R1
C10
CUT OUT AREA
MRF6V12500
Rev. 1
R2
C7
C5
C3
C2
C1
C6
C4
C12
C14
C16
C8
C17
C18
C15
C13
C9
C11
Table 6. MRF6V12500H(HS) Test
Circuit Component Designations and Values ? 960--1215 MHz
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1
2.2 pF Chip Capacitor
ATC100B2R2JT500XT
ATC
C2
0.2 pF Chip Capacitor
ATC100B0R2BT500XT
ATC
C3, C4
33 pF Chip Capacitors
ATC100B330JT500XT
ATC
C5, C6, C11, C12
2.2
μF, 100 V Chip Capacitors
G2225X7R225KT3AB
ATC
C7
22
μF, 35 V Tantalum Capacitor
T491X226K035AT
Kemet
C8
8.2 pF Chip Capacitor
ATC100B8R2CT500XT
ATC
C9, C10
39 pF Chip Capacitors
ATC100B390JT500XT
ATC
C13, C14
0.022
μF, 100 V Chip Capacitors
C1825C223K1GAC
Kemet
C15, C16
0.10
μF, 100 V Chip Capacitors
C1812F104K1RAC
Kemet
C17, C18
470
μF, 63 V Electrolytic Capacitors
MCGPR63V477M13X26--RH
Multicomp
R1, R2
22
?, 1/4 W Chip Resistors
CRCW120622R0FKEA
Vishay
PCB
0.030″,
εr
=2.55
AD255A
Arlon
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V14300HSR5 | MOSFET RF N-CH 50V NI780S |
| MRF6V2010GNR5 | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
| MRF6V2150NBR5 | MOSFET RF N-CH 50V TO272-4 |
| MRF6V2300NR5 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| MRF6V3090NR5 | FET RF N-CH 860MHZ 50V TO270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V12500HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12500HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V13250HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V13250HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V13250HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。