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参数资料
| 型号： | MRF6V12500HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 959K |
| 描述： | FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.03GHz |
| 增益： | 19.7dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 200mA |
| 功率 - 输出： | 500W |
| 电压 - 额定： | 100V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6V12500HR5DKR |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22--A114)
2, passes 2600 V
Machine Model (per EIA/JESD22--A115)
B, passes 200 V
Charge Device Model (per JESD22--C101)
IV, passes 2000 V
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Gate--Source Leakage Current
(VGS
=5Vdc,VDS
=0Vdc)
IGSS
?
?
10
μAdc
Drain--Source Breakdown Voltage
(VGS
=0Vdc,ID
= 200 mA)
V(BR)DSS
110
?
?
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=50Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
20
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
=90Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
200
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
=10Vdc,ID
=1.32mA)
VGS(th)
0.9
1.7
2.4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDD
=50Vdc,ID
= 200 mAdc, Measured in Functional Test)
VGS(Q)
1.7
2.4
3.2
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(VGS
=10Vdc,ID
=3.26Adc)
VDS(on)
?
0.25
?
Vdc
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
=50Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Crss
?
0.2
?
pF
Output Capacitance
(VDS
=50Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, VGS
=0Vdc)
Coss
?
697
?
pF
Input Capacitance
(VDS
=50Vdc,VGS
=0Vdc±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz)
Ciss
?
1391
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Narrowband Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,IDQ
= 200 mA, Pout
= 500 W Peak (50 W Avg.),
f = 1030 MHz, 128
μsec Pulse Width, 10% Duty Cycle
Power Gain
Gps
18.5
19.7
22.0
dB
Drain Efficiency
ηD
58.0
62.0
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-- 1 8
-- 9
dB
Typical Broadband Performance ? 960--1215 MHz
(In Freescale 960--1215 MHz Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=50Vdc,
IDQ
= 200 mA, Pout
= 500 W Peak (50 W Avg.), f = 960--1215 MHz, 128
μsec Pulse Width, 10% Duty Cycle
Power Gain
Gps
?
18.5
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
57.0
?
%
1. Part internally matched both on input and output.
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| MRF6V13250HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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