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参数资料
| 型号： | MT42L256M32D4MG-25 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 56/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 134FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 8G（356M x 32） |
| 速度： | 400MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 134-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 134-FBGA（11.5x11.5） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Burst READ Command
Figure 29: READ Output Timing – t DQSCK (MAX)
CK#
RL - 1
RL
t CH
t CL
RL + BL/ 2
CK
DQS#
DQS
t LZ(DQS)
t DQSCKmax
t RPRE
t QH
t DQSQmax
t HZ(DQS)
t RPST
t QH
t DQSQmax
DQ
D OUT
D OUT
D OUT
D OUT
t LZ(DQ)
t HZ(DQ)
Transitioning data
Notes:
1. t DQSCK can span multiple clock periods.
2. An effective burst length of 4 is shown.
Figure 30: READ Output Timing – t DQSCK (MIN)
CK#
RL - 1
RL
t CH
t CL
RL + BL/2
CK
DQS#
DQS
t LZ(DQS)
t RPRE
t DQSCKmin
t QH
t DQSQmax
t HZ(DQS)
t RPST
t QH
t DQSQmax
DQ
D OUT
D OUT
D OUT
D OUT
t LZ(DQ)
t HZ(DQ)
Transitioning data
Note:
1. An effective burst length of 4 is shown.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
56
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-300-G-H-I12-20MA-000-000 | SENSOR 300PSI M12-1.5 6G 4-20MA |
| REC5-0509SRW/H2/A/M/SMD | CONV DC/DC 5W 4.5-9VIN 09VOUT |
| P51-500-A-H-P-4.5OVP-000-000 | SENSOR 500PSI M12-1.5 6G .5-4.5V |
| P51-300-A-AD-D-20MA-000-000 | SENSOR 300PSI 7/16-20 UNF 4-20MA |
| P51-300-A-H-P-4.5OVP-000-000 | SENSOR 300PSI M12-1.5 6G .5-4.5V |
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