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参数资料
| 型号： | MT46H256M32L4CM-54IT:A |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 44/106页 |
| 文件大小： | 3431K |
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Table 15: Target Output Drive Characteristics (One-Half Strength)
Notes 1–3 apply to all values; characteristics are specified under best and worst process variations/conditions
Voltage (V)
Pull-Down Current (mA)
Pull-Up Current (mA)
Min
Max
Min
Max
0.00
0.10
1.27
8.42
–1.27
–8.42
0.20
2.55
12.30
–2.55
–12.30
0.30
3.82
14.95
–3.82
–14.95
0.40
5.09
16.84
–5.09
–16.84
0.50
6.36
18.20
–6.36
–18.20
0.60
7.64
19.30
–7.64
–19.30
0.70
8.91
20.30
–8.91
–20.30
0.80
10.16
21.20
–10.16
–21.20
0.85
10.80
21.60
–10.80
–21.60
0.90
10.80
22.00
–10.80
–22.00
0.95
10.80
22.45
–10.80
–22.45
1.00
10.80
22.73
–10.80
–22.73
1.10
10.80
23.21
–10.80
–23.21
1.20
10.80
23.67
–10.80
–23.67
1.30
10.80
24.14
–10.80
–24.14
1.40
10.80
24.61
–10.80
–24.61
1.50
10.80
25.08
–10.80
–25.08
1.60
10.80
25.54
–10.80
–25.54
1.70
10.80
26.01
–10.80
–26.01
1.80
–
26.48
–
–26.48
1.90
–
26.95
–
–26.95
Notes: 1. Based on nominal impedance of
55Ω (one-half drive strength) at VDDQ/2.
2. The full variation in driver current from minimum to maximum, due to process, voltage,
and temperature, will lie within the outer bounding lines of the I-V curves.
3. The I-V curve for one-quarter drive strength is approximately 50% of one-half drive
strength.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Output Drive Characteristics
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
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PDF描述 |
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