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参数资料
| 型号： | MT46V64M8 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4组,双数据速率同步动态RAM) |
| 中文描述： | 16梅格× 8 × 4银行DDR SDRAM内存（1,600 × 8 × 4组，双数据速率同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 24/70页 |
| 文件大小： | 2524K |
| 代理商： | MT46V64M8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页
24
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_A.p65
–
Rev. A; Pub 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
ADVANCE
Figure 12
READ to WRITE
CK
CK#
COMMAND
READ
BST
7
NOP
NOP
NOP
ADDRESS
Bank,
Col
n
WRITE
Bank,
Col
b
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T5n
NOTE
: 1. DO
n
= data-out from column
n
.
2. DI
b
= data-in from column
b
.
3. Burst length = 4 in the cases shown (applies for bursts of 8 as well; if the burst length is 2,
the BST command shown can be NOP).
4. One subsequent element of data-out appears in the programmed order following DO
n.
5. Data-in elements are applied following DI
b
in the programmed order
.
6. Shown with nominal
t
AC,
t
DQSCK, and
t
DQSQ.
7. BST = BURST TERMINATE command, page remains open.
CL = 2
DQ
DQS
DM
t
(MIN)
DQSS
DI
b
CK
CK#
COMMAND
READ
BST
7
NOP
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank
a
,
Col
n
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T5n
CL = 2.5
DQ
DQS
DO
n
DM
t
(MIN)
DQSS
DI
b
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
DO
n
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