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参数资料
| 型号： | RM48L950PGET |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 200 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, LQFP-144 |
| 文件页数： | 143/154页 |
| 文件大小： | 2807K |
| 代理商： | RM48L950PGET |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页当前第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页
PRODUCTPREVIEW
SPNS174
– SEPTEMBER 2011
Table 4-28. EMIF Asynchronous Memory Switching Characteristics(1)(2)(3) (continued)
NO
Parameter
Value
Unit
MIN
NOM
MAX
Output hold time, EMIFnWE
-3
0
+3
ns
high to EMIFCS[4:2] high (SS =
1)
18
tsu(EMDQMV-EMWEL)
Output setup time, EMIFBA[1:0]
(WS)*E-3
(WS)*E
(WS)*E+3
ns
valid to EMIFnWE low
19
th(EMWEH-EMDQMIV)
Output hold time, EMIFnWE
(WH)*E-3
(WH)*E
(WH)*E+3
ns
high to EMIFBA[1:0] invalid
20
tsu(EMBAV-EMWEL)
Output setup time, EMIFBA[1:0]
(WS)*E-3
(WS)*E
(WS)*E+3
ns
valid to EMIFnWE low
21
th(EMWEH-EMBAIV)
Output hold time, EMIFnWE
(WH)*E-3
(WH)*E
(WH)*E+3
ns
high to EMIFBA[1:0] invalid
22
tsu(EMAV-EMWEL)
Output setup time,
(WS)*E-3
(WS)*E
(WS)*E+3
ns
EMIFADDR[21:0] valid to
EMIFnWE low
23
th(EMWEH-EMAIV)
Output hold time, EMIFnWE
(WH)*E-3
(WH)*E
(WH)*E+3
ns
high to EMIFADDR[21:0] invalid
24
tw(EMWEL)
EMIFnWE active low width (EW
(WST)*E-3
(WST)*E
(WST)*E+3
ns
= 0)
EMIFnWE active low width (EW
(WST+(EWC*1
ns
= 1)
6)) *E-3
6))*E
6)) *E+3
25
td(EMWAITH-EMWEH)
Delay time from EMIFnWAIT
3E-3
4E
4E+3
ns
deasserted to EMIFnWE high
26
tsu(EMDV-EMWEL)
Output setup time,
(WS)*E-3
(WS)*E
(WS)*E+3
ns
EMIFDATA[15:0] valid to
EMIFnWE low
27
th(EMWEH-EMDIV)
Output hold time, EMIFnWE
(WH)*E-3
(WH)*E
(WH)*E+3
ns
high to EMIFDATA[15:0] invalid
Table 4-29. EMIF Synchronous Memory Timing Requirements
NO.
Parameter
MIN
MAX
Unit
19
tsu(EMIFDV-EM_CLKH)
Input setup time, read data valid on
1
ns
EMIFDATA[15:0] before EMIF_CLK
rising
20
th(CLKH-DIV)
Input hold time, read data valid on
1.5
ns
EMIFDATA[15:0] after EMIF_CLK
rising
Table 4-30. EMIF Synchronous Memory Switching Characteristics
NO.
Parameter
MIN
MAX
Unit
1
tc(CLK)
Cycle time, EMIF clock EMIF_CLK
15
ns
2
tw(CLK)
Pulse width, EMIF clock EMIF_CLK
5
ns
high or low
3
td(CLKH-CSV)
Delay time, EMIF_CLK rising to
7
ns
EMIFnCS[0] valid
4
toh(CLKH-CSIV)
Output hold time, EMIF_CLK rising to
1
ns
EMIFnCS[0] invalid
5
td(CLKH-DQMV)
Delay time, EMIF_CLK rising to
7
ns
EMIFnDQM[1:0] valid
6
toh(CLKH-DQMIV)
Output hold time, EMIF_CLK rising to
1
ns
EMIFnDQM[1:0] invalid
7
td(CLKH-AV)
Delay time, EMIF_CLK rising to
7
ns
EMIFADDR[21:0] and EMIFBA[1:0]
valid
Copyright
2011, Texas Instruments Incorporated
System Information and Electrical Specifications
89
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