参数资料
型号: S71PL254JC0BAITU3
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
封装: 8 X 11.60 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-84
文件页数: 104/188页
文件大小: 5078K
代理商: S71PL254JC0BAITU3
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Publication Number S29PL127_064_032J_00_
Revision A Amendment 1 Issue Date May 21, 2004
PRELIMINARY
S29PL127J/S29PL064J/S29PL032J for
MCP
128/128/64/32 Megabit (8/4/2 M x 16-Bit)
CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write
Flash Memory with Enhanced VersatileIOTM Control
Distinctive Characteristics
ARCHITECTURAL ADVANTAGES
128/64/32Mbit Page Mode devices
— Page size of 8 words: Fast page read access from
random locations within the page
Single power supply operation
— Full Voltage range: 2.7 to 3.6 volt read, erase, and
program operations for battery-powered applications
Simultaneous Read/Write Operation
— Data can be continuously read from one bank while
executing erase/program functions in another bank
— Zero latency switching from write to read operations
FlexBank Architecture (PL127J/PL064J/PL032J)
— 4 separate banks, with up to two simultaneous
operations per device
—Bank A:
PL127J -16Mbit (4 Kw x 8 and 32 Kw x 31)
PL064J - 8Mbit (4 Kw x 8 and 32 Kw x 15)
PL032J - 4Mbit (4 Kw x 8 and 32 Kw x 7)
—Bank B:
PL127J - 48Mbit (32 Kw x 96)
PL064J - 24Mbit (32 Kw x 48)
PL032J - 12 Mbit (32 Kw x 24)
—Bank C:
PL127J - 48Mbit (32 Kw x 96)
PL064J - 24Mbit (32 Kw x 48)
PL032J - 12 Mbit (32 Kw x 24)
—Bank D:
PL127J -16Mbit (4 Kw x 8 and 32 Kw x 31)
PL064J - 8Mbit (4 Kw x 8 and 32 Kw x 15)
PL032J - 4Mbit (4 Kw x 8 and 32 Kw x 7)
Enhanced VersatileI/OTM (VIO) Control
— Output voltage generated and input voltages
tolerated on all control inputs and I/Os is determined
by the voltage on the VIO pin
—VIO options at 1.8 V and 3 V I/O for PL127J devices
—3V VIO for PL064J and PL032J devices
SecSiTM (Secured Silicon) Sector region
— Up to 128 words accessible through a command
sequence
— Up to 64 factory-locked words
— Up to 64 customer-lockable words
Both top and bottom boot blocks in one device
Manufactured on 110 nm process technology
Data Retention: 20 years typical
Cycling Endurance: 1 million cycles per sector
typical
PERFORMANCE CHARACTERISTICS
High Performance
— Page access times as fast as 20 ns
— Random access times as fast as 55 ns
Power consumption (typical values at 10 MHz)
— 45 mA active read current
— 17 mA program/erase current
— 0.2 A typical standby mode current
SOFTWARE FEATURES
Software command-set compatible with JEDEC
42.4 standard
— Backward compatible with Am29F, Am29LV, Am29DL,
and AM29PDL families and MBM29QM/RM, MBM29LV,
MBM29DL, MBM29PDL families
CFI (Common Flash Interface) compliant
— Provides device-specific information to the system,
allowing host software to easily reconfigure for
different Flash devices
Erase Suspend / Erase Resume
— Suspends an erase operation to allow read or program
operations in other sectors of same bank
Unlock Bypass Program command
— Reduces overall programming time when issuing
multiple program command sequences
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PDF描述
S71PL032JF0BFW074 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
S29AL016D90MFN011 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO44
SM-5MIN-A-TL-26 RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 26500MHz, PANEL MOUNT
SM-5MIN-A-TL RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 18000MHz, PANEL MOUNT
SM-5MIN-A RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 18000MHz, PANEL MOUNT
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参数描述
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S71PL254JC0BAW9Z0 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs
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