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参数资料
| 型号： | S71PL254JC0BAITU3 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-84 |
| 文件页数： | 64/188页 |
| 文件大小： | 5078K |
| 代理商： | S71PL254JC0BAITU3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页当前第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页
June 8, 2004 pSRAM_Type01_12_A0
pSRAM Type 1
96
Prelimin ary
pSRAM Type 1
4Mbit (256K Word x 16-bit)
8Mbit (512K Word x 16-bit)
16Mbit (1M Word x 16-bit)
32Mbit (2M Word x 16-bit)
64Mbit (4M Word x 16-bit)
Features
Fast Cycle Times
—TACC < 70 nS
—TACC < 65 nS
—TACC < 60 nS
—TACC < 55 nS
Very low standby current
—ISB < 120 A (64M and 32M)
—ISB < 100 A (16M)
Very low operating current
— Icc < 25mA
Functional Description
Absolute Maximum Ratings
Mode
CE#
CE2/ZZ#
OE#
WE#
UB#
LB#
Addresses
I/O 1-8
I/O 9-16
Power
Read (word)
L
H
L
H
L
X
Dout
IACTIVE
Read (lower byte)
L
H
L
H
L
X
Dout
High-Z
IACTIVE
Read (upper byte)
L
H
L
H
L
H
X
High-Z
Dout
IACTIVE
Write (word)
L
H
X
L
X
Din
IACTIVE
Write (lower byte)
L
H
X
L
H
L
X
Din
Invalid
IACTIVE
Write (upper byte)
L
H
X
L
H
X
Invalid
Din
IACTIVE
Outputs disabled
L
H
X
High-Z
IACTIVE
Standby
H
X
High-Z
ISTANDBY
Deep power down
H
L
X
High-Z
IDEEP SLEEP
Item
Symbol
Ratings
Units
Voltage on any pin relative to VSS
Vin, Vout
-0.2 to VCC +0.3
V
Voltage on VCC relative to VSS
VCC
-0.2 to 3.6
V
Power dissipation
PD
1
W
Storage temperature
TSTG
-55 to 150
°C
Operating temperature
TA
-25 to 85
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL032JF0BFW074 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S29AL016D90MFN011 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| SM-5MIN-A-TL-26 | RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 26500MHz, PANEL MOUNT |
| SM-5MIN-A-TL | RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 18000MHz, PANEL MOUNT |
| SM-5MIN-A | RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 18000MHz, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71PL254JC0BAW0Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW0Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW0Z3 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
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