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参数资料
| 型号： | S71PL254JC0BAITU3 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-84 |
| 文件页数： | 11/188页 |
| 文件大小： | 5078K |
| 代理商： | S71PL254JC0BAITU3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页当前第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页
108
pSRAM_EtronTech_06A2 February 25, 2004
Prelimin ary
Operation Mode
Note: X=don’t care. H=logic high. L=logic low.
Absolute Maximum Ratings (see Note)
Note: Absolute maximum DC requirements contains stress ratings only. Functional operation at the absolute maximum
limits is not implied or guaranteed. Extended exposure to maximum ratings may affect device reliability.
DC Characteristics
Notes:
1. Overshoot: VCC + 2.0V in case of pulse width ≤ 20ns
2. Undershoot: -2.0V in case of pulse width ≤ 20ns
3. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
MODE
CE1#
CE2
OE#
WE#
LB#
UB#
DQ0 to DQ7
DQ8 to DQ15
POWER
Deselect
H
X
High-Z
Standby
Deselect
X
L
X
High-Z
Deep Power Down
Deselect
L
H
X
H
High-Z
Standby
Output Disabled
L
H
L
X
High-Z
Active
Output Disabled
L
H
X
L
High-Z
Active
Lower Byte Read
L
H
L
H
L
H
D-out
High-Z
Active
Upper Byte Read
L
H
L
H
L
High-Z
D-out
Active
Word Read
L
H
L
H
L
D-out
Active
Lower Byte Write
L
H
X
L
H
D-in
High-Z
Active
Upper Byte Write
L
H
X
L
H
L
High-Z
D-in
Active
Word Write
L
H
X
L
D-in
Active
SYMBOL
RATING
VALUE
UNIT
VCC
Supply Voltage
-0.2 to +3.6
V
VIN
Input Voltages
-0.2 to VCC + 0.3
V
VIN, VOUT
Output and output Voltages
-2.0 to +3.6
V
ISH
Output short circuit current
100
mA
PD
Power Dissipation
1
W
Table 30. DC Recommended Operating Conditions
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
VDD
Power Supply Voltage
2.7
3.0
3.3
V
VSS
Ground
0
-
0
VIH
Input High Voltage
2.2
-
VIL
Input Low Voltage
-0.2 (Note 2)
-
+0.6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL032JF0BFW074 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S29AL016D90MFN011 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| SM-5MIN-A-TL-26 | RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 26500MHz, PANEL MOUNT |
| SM-5MIN-A-TL | RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 18000MHz, PANEL MOUNT |
| SM-5MIN-A | RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 18000MHz, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71PL254JC0BAW0Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW0Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW0Z3 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
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