参数资料
型号: S71PL254JC0BAITU3
厂商: SPANSION LLC
元件分类: 存储器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84
封装: 8 X 11.60 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-84
文件页数: 33/188页
文件大小: 5078K
代理商: S71PL254JC0BAITU3
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May 4, 2004 pSRAM_Type07_13_A0
pSRAM Type 7
129
Prelimin ary
DC Characteristics (Under Recommended Conditions Unless Otherwise
Noted)
Notes:
1. All voltages are referenced to VSS.
2. DC Characteristics are measured after following POWER-UP timing.
3. IOUT depends on the output load conditions.
Parameter
Symbol
Test Conditions
16M
32M
64M
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Input Leakage
Current
ILI
VIN = VSS to VDD
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
A
Output Leakage
Current
ILO
VOUT = VSS to VDD, Output
Disable
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
-1.0
+1.0
A
Output High
Voltage Level
VOH
VDD = VDD(min), IOH = –
0.5mA
2.2
2.4
2.4
V
Output Low
Voltage Level
VOL
IOL = 1mA
0.4
0.4
0.4
V
VDD Power Down
Current
IDDPS
VDD = VDD(26)
max.,
VIN = VIH or VIL,
CE2 ≤ 0.2V
SLEEP
10
10
TBD
A
IDDP4
4M Partial
N/A
40
N/A
A
IDDP8
8M Partial
N/A
50
TBD
A
IDDP16
16M
Partial
N/A
TBD
A
VDD Standby
Current
IDDS
VDD = VDD(26) max.,
VIN = VIH or VIL
CE1 = CE2 = VIH
1
1.5
TBD
mA
IDDS1
VDD = VDD(26) max.,
VIN ≤ 0.2V or VIN ≥ VDD – 0.2V,
CE1 = CE2 ≥ VDD – 0.2V
100
80
TBD
A
VDD Active
Current
IDDA1
VDD = VDD(26)
max.,
VIN = VIH or VIL,
CE1 = VIL and
CE2= VIH,
IOUT=0mA
tRC / tWC
=
minimum
20
30
TBD
mA
IDDA2
tRC / tWC
=
1s
3
3
TBD
mA
VDD Page Read
Current
IDDA3
VDD = VDD(26) max., VIN = VIH
or VIL,
CE1 = VIL and CE2= VIH,
IOUT=0mA, tPRC = min.
N/A
10
TBD
mA
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PDF描述
S71PL032JF0BFW074 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
S29AL016D90MFN011 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO44
SM-5MIN-A-TL-26 RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 26500MHz, PANEL MOUNT
SM-5MIN-A-TL RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 18000MHz, PANEL MOUNT
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