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参数资料
| 型号： | S71PL254JC0BAITU3 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA84 |
| 封装： | 8 X 11.60 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-84 |
| 文件页数： | 30/188页 |
| 文件大小： | 5078K |
| 代理商： | S71PL254JC0BAITU3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页当前第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页
126
pSRAM Type 7
pSRAM_Type07_13_A0 May 4, 2004
Prelimin ary
Functional Description
Legend:L = VIL, H = VIH, X can be either VIL or VIH, High-Z = High Impedance.
Notes:
1. Should not be kept this logic condition longer than 1ms. Please contact local Spansion representative for the relaxation of
1ms limitation.
2. Power Down mode can be entered from Standby state and all DQ pins are in High-Z state. Data retention depends on the
selection of Power Down Program, 16M has data retention in all modes except Power Down. Refer to POWER DOWN for the
detail.
3. Can be either VIL or VIH but must be valid before Read or Write.
4. OE# can be VIL during Write operation if the following conditions are satisfied:
(1) Write pulse is initiated by CE1# (refer to CE1# Controlled Write timing), or cycle time of the previous operation cycle is
satisfied.
(2) OE# stays VIL during Write cycle
Power Down (for 32M, 64M Only)
Power Down
The Power Down is low power idle state controlled by CE2. CE2 Low drives the
device in power down mode and maintains low power idle state as long as CE2 is
kept Low. CE2 High resumes the device from power down mode. These devices
have three power down mode. These can be programmed by series of read/write
operation. Each mode has following features.
VSS
Ground
Mode
CE2#
CE1#
WE#
OE#
LB#
UB#
A21-0
DQ8-1
DQ16-9
Standby (Deselect)
H
X
High-Z
Output Disable (Note 1)
HL
H
X
Note 3
High-Z
Output Disable (No Read)
HL
H
Valid
High-Z
Read (Upper Byte)
H
L
Valid
High-Z
Output Valid
Read (Lower Byte)
L
H
Valid
Output Valid
High-Z
Read (Word)
L
Valid
Output Valid
No Write
LH (Note 4)
H
Valid
Invalid
Write (Upper Byte)
H
L
Valid
Invalid
Input Valid
Write (Lower Byte)
L
H
Valid
Input Valid
Invalid
Write (Word)
L
Valid
Input Valid
Power Down
L
X
High-Z
32M
64M
Mode
Retention Data
Retention Address
Mode
Retention Data
Retention Address
Sleep (default)
No
N/A
Sleep (default)
No
N/A
4M Partial
4M bit
00000h to 3FFFFh
8M Partial
8M bit
00000h to 7FFFFh
8M Partial
8M bit
00000h to 7FFFFh
16M Partial
16M bit
00000h to FFFFFh
Pin Name
Description
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL032JF0BFW074 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S29AL016D90MFN011 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| SM-5MIN-A-TL-26 | RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 26500MHz, PANEL MOUNT |
| SM-5MIN-A-TL | RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 18000MHz, PANEL MOUNT |
| SM-5MIN-A | RF COAXIAL RELAY, SP5T, FAILSAFE, 2875mW (COIL), 18000MHz, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71PL254JC0BAW0Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW0Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW0Z3 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254JC0BAW9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
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