- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录68427 > W25Q16DWZPIP (WINBOND ELECTRONICS CORP) 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W25Q16DWZPIP |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 6 X 5 MM, GREEN , PLASTIC, WSON-8 |
| 文件页数： | 39/83页 |
| 文件大小： | 1268K |
| 代理商： | W25Q16DWZPIP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页当前第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页
W25Q16DW
- 44 -
10.2.21 Quad Input Page Program (32h)
The Quad Page Program instruction allows up to 256 bytes of data to be programmed at previously
erased (FFh) memory locations using four pins: IO0, IO1, IO2, and IO3. The Quad Page Program can
improve performance for PROM Programmer and applications that have slow clock speeds <5MHz.
Systems with faster clock speed will not realize much benefit for the Quad Page Program instruction since
the inherent page program time is much greater than the time it take to clock-in the data.
To use Quad Page Program the Quad Enable in Status Register-2 must be set (QE=1). A Write Enable
instruction must be executed before the device will accept the Quad Page Program instruction (Status
Register-1, WEL=1). The instruction is initiated by driving the /CS pin low then shifting the instruction code
“32h” followed by a 24-bit address (A23-A0) and at least one data byte, into the IO pins. The /CS pin must
be held low for the entire length of the instruction while data is being sent to the device. All other functions
of Quad Page Program are identical to standard Page Program. The Quad Page Program instruction
sequence is shown in Figure 20.
/CS
CLK
Mode 0
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Instruction (32h)
8
9
10
28
29
30
32
33
34
35
36
37
4
0
24-Bit Address
23
22
21
3
2
1
0
*
31
/CS
CLK
5
1
Byte 1
6
2
7
3
4
0
5
1
6
2
7
3
4
0
5
1
6
2
7
3
4
0
5
1
6
2
7
3
Byte 2
Byte 3
Byte
256
0
4
0
5
1
6
2
7
3
4
0
5
1
6
2
7
3
4
0
5
1
6
2
7
3
53
6
53
7
53
8
53
9
54
0
54
1
54
2
54
3
Mode 0
Mode 3
Byte
253
Byte
254
Byte
255
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
= MSB
*
***
****
Figure 20. Quad Input Page Program Instruction (SPI Mode only)
10.2.22 Sector Erase (20h)
The Sector Erase instruction sets all memory within a specified sector (4K-bytes) to the erased state of all
1s (FFh). A Write Enable instruction must be executed before the device will accept the Sector Erase
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q20BWUXIP | 2M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BVSSAG | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BVSSAP | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BWSNIP | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| W25Q32BWSSIG | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q16V | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16VSFIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| W25Q16VSSIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| W25Q16VZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BW | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。