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参数资料
| 型号： | W25Q16DWZPIP |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 6 X 5 MM, GREEN , PLASTIC, WSON-8 |
| 文件页数： | 62/83页 |
| 文件大小： | 1268K |
| 代理商： | W25Q16DWZPIP |
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W25Q16DW
Publication Release Date: April 01, 2011
- 65 -
Preliminary - Revision A
10.2.39 Burst Read with Wrap (0Ch)
The “Burst Read with Wrap (0Ch)” instruction provides an alternative way to perform the read operation
with “Wrap Around” in QPI mode. The instruction is similar to the “Fast Read (0Bh)” instruction in QPI
mode, except the addressing of the read operation will “Wrap Around” to the beginning boundary of the
“Wrap Length” once the ending boundary is reached.
The “Wrap Length” and the number of dummy clocks can be configured by the “Set Read Parameters
(C0h)” instruction.
Dummy
*
/CS
CLK
Mode 0
Mode 3
0
1
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
0Ch
2
3
4
5
20
16
12
8
21
17
22
18
23
19
13
9
14
10
15
11
A23-16
6
7
8
9
4
0
5
1
6
2
7
3
A15-8
A7-0
4
Byte 1
Byte 2
0
5
1
6
2
7
3
4
0
5
1
6
2
7
3
10
11
12
13
14
4
5
6
7
IOs switch from
Input to Output
* "Set Read Parameters" instruction (C0h) can
set the number of dummy clocks.
Byte 3
Instruction
Figure 38. Burst Read with Wrap Instruction (QPI Mode only)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q20BWUXIP | 2M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BVSSAG | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BVSSAP | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BWSNIP | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| W25Q32BWSSIG | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W25Q16VSFIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| W25Q16VSSIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| W25Q16VZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BW | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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