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参数资料
| 型号： | W25Q16DWZPIP |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 6 X 5 MM, GREEN , PLASTIC, WSON-8 |
| 文件页数： | 69/83页 |
| 文件大小： | 1268K |
| 代理商： | W25Q16DWZPIP |
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W25Q16DW
Publication Release Date: April 01, 2011
- 71 -
Preliminary - Revision A
11.4 DC Electrical Characteristics
PARAMETER
SYMBOL CONDITIONS
SPEC
UNIT
MIN
TYP
MAX
Input Capacitance
CIN(1)
VIN = 0V(1)
6
pF
Output Capacitance
Cout(1)
VOUT = 0V(1)
8
pF
Input Leakage
ILI
±2
A
I/O Leakage
ILO
±2
A
Standby Current
ICC1
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
10
40
A
Power-down Current
ICC2
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
1
5
A
Current Read Data /
Dual /Quad 1MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
15
mA
Current Read Data /
Dual /Quad 50MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
20
mA
Current Read Data /
Dual /Quad 80MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
30
mA
Current Read Data /
Dual Output Read/Quad
Output Read 104MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
40
mA
Current Write Status
Register
ICC4
/CS = VCC
8
12
mA
Current Page Program
ICC5
/CS = VCC
20
25
mA
Current Sector/Block
Erase
ICC6
/CS = VCC
20
25
mA
Current Chip Erase
ICC7
/CS = VCC
20
25
mA
Input Low Voltage
VIL
–0.5
VCC x 0.3
V
Input High Voltage
VIH
VCC x 0.7
VCC + 0.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 100 A
0.2
V
Output High Voltage
VOH
IOH = –100 A
VCC – 0.2
V
Notes:
1. Tested on sample basis and specified through design and characterization data. TA = 25° C, VCC = 1.8V.
2. Checker Board Pattern.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q20BWUXIP | 2M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BVSSAG | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BVSSAP | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BWSNIP | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| W25Q32BWSSIG | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q16V | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q16VSFIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| W25Q16VSSIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| W25Q16VZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BW | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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