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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX6E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 21/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX6E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页当前第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页
W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 28 -
Revision A01-006
7.5.1 Read Command
= Don't Care
(High)
CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-An
CA
AP
BA=BANK Address CA=Coulmn Address AP=Auto
Precharge
BA
BA0,BA1
A10
Enable AP
Disable AP
The basic Read timing parameters for DQs are shown in following figure; they apply to all Read operations.
7.5.2 Basic Read Timing Parameters
CK
tDQSQmax
tAC
tLZ
tQH
tHZ
DO n+3
DO n+2
DO n+1
DO n
tRPRE
tRPST
tDQSCK
tDQSQmax
tAC
tLZ
tQH
tHZ
DO n+3
DO n+2
DO n+1
DO n
tRPRE
tRPST
tDQSCK
= Don,t Care
1)DO n=Data Out from column n
2)All DQ are vaild tAC after the CK edge.
All DQ are valid tDQSQ after the DQS edge, regardless of tAC
DQS
DQ
DQS
DQ
tCK
tACmax
tACmin
tCK
tCH
tCL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| WPS512K8LT-85TI | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| W25P012AD-7 | 32K X 32 STANDARD SRAM, 7 ns, PQFP100 |
| WME128K8-120CC | 128K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, CDIP32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
| W949D2CBJX6G | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:512Mb Mobile LPDDR |
| W949D2KBJX5E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W949D2KBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W949D2KBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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