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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX6E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 45/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX6E |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 5 -
Revision A01-006
3. PIN CONFIGURATION
3.1 Ball Assignment: LPDDR X16
60 BALL
VFBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
VSS
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
B
VDDQ
DQ13
DQ14
DQ1
DQ2
VSSQ
C
VSSQ
DQ11
DQ12
DQ3
DQ4
VDDQ
D
VDDQ
DQ9
DQ10
DQ5
DQ6
VSSQ
E
VSSQ
UDQS
DQ8
DQ7
LDQS
VDDQ
F
VSS
UDM
NC
LDM
VDD
G
CKE
CK
WE
CAS
RAS
H
A9
A11
A12
CS
BA0
BA1
J
A6
A7
A8
A10/AP
A0
A1
K
VSS
A4
A5
A2
A3
VDD
(Top View) Pin Configuration
3.2 Ball Assignment: LPDDR X32
90 BALL
VFBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
VSS
DQ31
VSSQ
VDDQ
DQ16
VDD
B
VDDQ
DQ29
DQ30
DQ17
DQ18
VSSQ
C
VSSQ
DQ27
DQ28
DQ19
DQ20
VDDQ
D
VDDQ
DQ25
DQ26
DQ21
DQ22
VSSQ
E
VSSQ
DQS3
DQ24
DQ23
DQS2
VDDQ
F
VDD
DM3
NC
DM2
VSS
G
CKE
CK
WE
CAS
RAS
H
A9
A11
A12
CS
BA0
BA1
J
A6
A7
A8
A10/AP
A0
A1
K
A4
DM1
A5
A2
DM0
A3
L
VSSQ
DQS1
DQ8
DQ7
DQS0
VDDQ
M
VDDQ
DQ9
DQ10
DQ5
DQ6
VSSQ
N
VSSQ
DQ11
DQ12
DQ3
DQ4
VDDQ
P
VDDQ
DQ13
DQ14
DQ1
DQ2
VSSQ
R
VSS
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
(Top View) Pin Configuration
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WPD1M16C-80TJI | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO42 |
| WPS512K8LC-55TM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32 |
| WPS512K8LT-85TI | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| W25P012AD-7 | 32K X 32 STANDARD SRAM, 7 ns, PQFP100 |
| WME128K8-120CC | 128K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, CDIP32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
| W949D2CBJX6G | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:512Mb Mobile LPDDR |
| W949D2KBJX5E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W949D2KBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W949D2KBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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