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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX6E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 9/60页 |
| 文件大小： | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX6E |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 17 -
Revision A01-006
6.7.1 SRR Register (A[n:0] = 0)
Rising Edge of DQ Bus
SRR Register 0
Manufacturer
Identification
Revision
Identification
Refresh
Rate
Reserved(0) Density DT DW
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
Density
DQ13
DQ14
DQ15
DQ12 Device Type
Refresh Rate
DQ10
DQ9
DQ8
0
3
4
7
8
10
11
12
13
15
16
X
0
1
Winbond
LPDDR
Reserved
0
1
Revision ID
Device
Width
16 bits
32 bits
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
128
256
512
1024
2048
Reserved
64
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
x
Reserved
0.25
Reserved
1
Reserved
(See Note 1)
DQ7:4
DQ11
Note 2 : The refresh rate mulitiplier is based on the menory’s temperature sensor.
Note 3 : Required average periodic refresh interval = tREFI * multiplier
Note 1 : The manufacture’s revision number
starts at ‘0000’ and increments by ‘0001’ each
time a change in the manufacturer’s
specification(AC timings, or feature set), IBIS
(pull up or pull down characteristics), or
process occurs.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WPD1M16C-80TJI | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO42 |
| WPS512K8LC-55TM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32 |
| WPS512K8LT-85TI | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| W25P012AD-7 | 32K X 32 STANDARD SRAM, 7 ns, PQFP100 |
| WME128K8-120CC | 128K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, CDIP32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
| W949D2CBJX6G | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:512Mb Mobile LPDDR |
| W949D2KBJX5E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W949D2KBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W949D2KBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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