参数资料
| 型号： | XCF128XFTG64C |
| 厂商： | Xilinx Inc |
| 文件页数： | 38/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PROM SRL 128M GATE 64-FTBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 存储容量： | 128Mb |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-TBGA |
| 供应商设备封装： | 64-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 122-1578 |
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Platform Flash XL High-Density Configuration and Storage Device
DS617 (v3.0.1) January 07, 2010
Product Specification
43
R
Maximum Rating
Stressing the device above the rating listed in Table 22 might cause permanent damage to the device. These are stress
ratings only, and proper operation of the device at these or any other conditions above those indicated in this specification
is not implied. Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for extended periods can affect device reliability.
DC and AC Parameters
This section summarizes the operating measurement conditions, and the DC and AC characteristics of the device. The
parameters in the DC and AC characteristics tables that follow are derived from tests performed under the measurement
conditions summarized in Table 23. Designers should check that the operating conditions in their circuit match the operating
conditions when relying on the quoted parameters.
Table 22: Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
Min
Max
TA
Ambient operating temperature
–40
85
°C
TBIAS
Temperature under bias
–40
85
°C
TJ
Junction temperature
–
125
°C
TSTG
Storage temperature
–65
125
°C
VIO
Input or output voltage
–0.5
4.2
V
VDD
Supply voltage
–0.2
2.5
V
VDDQ
Input/output supply voltage
–0.2
3.8
V
VPP
Program voltage
–0.2
10
V
IO
Output short circuit current
–
100
mA
TVPPH
Time for VPP at VPPH
–
100
hours
Table 23: Operating and AC Measurement Conditions
Parameter
Min
Max
Units
VDD supply voltage
1.7
2.0
V
VDDQ supply voltage
3.0
3.6
V
2.3
2.7
V
VPP supply voltage (Factory environment)
8.5
9.5
V
VPP supply voltage (Application environment)
–0.4
VDDQ+0.4
V
Ambient operating temperature
–40
85
°C
Load capacitance (CL)
30
pF
Input rise and fall times
–5
ns
Input pulse voltages
0 to VDDQ
V
Input and output timing reference voltages
VDDQ/2
V
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