参数资料
| 型号： | XCF128XFTG64C |
| 厂商： | Xilinx Inc |
| 文件页数： | 50/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PROM SRL 128M GATE 64-FTBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 存储容量： | 128Mb |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-TBGA |
| 供应商设备封装： | 64-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 122-1578 |
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Platform Flash XL High-Density Configuration and Storage Device
DS617 (v3.0.1) January 07, 2010
Product Specification
54
R
Table 30: Write AC Characteristics, Write Enable Controlled(1)
Symbol
Alt
Parameter
Voltage Range
Unit
VDDQ =
2.3V to 2.7V
VDDQ =
3.0V to 3.6V
W
rite
Ena
b
le
Co
ntr
o
ll
ed
Ti
mi
ng
s
TAVAV
TWC Address Valid to Next Address Valid
Min
85
ns
TAVLH
Address Valid to Latch Enable High
Min
10
ns
TAVWH(2)
Address Valid to Write Enable High
Min
50
ns
TDVWH
TDS Data Valid to Write Enable High
Min
50
ns
TELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
Min
10
ns
TELWL
TCS Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
ns
TELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
85
ns
TELKV
Chip Enable Low to Clock Valid
Min
9
ns
TGHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
17
ns
TLHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
9
ns
TLLLH
Latch Enable Pulse Width
Min
10
ns
TWHAV(2)
Write Enable High to Address Valid
Min
0
ns
TWHAX(2)
TAH Write Enable High to Address Transition
Min
0
ns
TWHDX
TDH Write Enable High to Input Transition
Min
0
ns
TWHEH
TCH Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
TWHEL(3)
Write Enable High to Chip Enable Low
Min
25
ns
TWHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
ns
TWHLL(3)
Write Enable High to Latch Enable Low
Min
25
ns
TWHWL
TWPH Write Enable High to Write Enable Low
Min
25
ns
TWLWH
TWP Write Enable Low to Write Enable High
Min
50
ns
Pr
otecti
o
n
Ti
min
g
s
TQVVPL
Output (Status Register) Valid to VPP Low
Min
0
ns
TQVWPL
Output (Status Register) Valid to Write Protect Low
Min
0
ns
TVPHWH
TVPS VPP High to Write Enable High
Min
200
ns
TWHVPL
Write Enable High to VPP Low
Min
200
ns
TWHWPL
Write Enable High to Write Protect Low
Min
200
ns
TWPHWH
Write Protect High to Write Enable High
Min
200
ns
Notes:
1.
Sampled only, not 100% tested.
2.
Meaningful only if L is always kept Low.
3.
TWHEL and TWHLL have this value when reading in the targeted bank or when reading following a Set Configuration Register command.
System designers should take this timing into account and can insert a software No-Op instruction to delay the first read in the same bank after
issuing any command and to delay the first read to any address after issuing a Set Configuration Register command. If the first read after the
command is a Read Array operation in a different bank and no changes to the Configuration Register are issued, TWHEL and TWHLL are 0 ns.
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PDF描述 |
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