参数资料
| 型号： | XCF128XFTG64C |
| 厂商： | Xilinx Inc |
| 文件页数： | 47/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PROM SRL 128M GATE 64-FTBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 存储容量： | 128Mb |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-TBGA |
| 供应商设备封装： | 64-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 122-1578 |
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Platform Flash XL High-Density Configuration and Storage Device
DS617 (v3.0.1) January 07, 2010
Product Specification
51
R
X-Ref Target - Figure 29
Notes:
1.
The READY_WAIT signal is configured to be active during wait state. READY_WAIT signal is active Low.
2.
Address latched and data output on the rising clock edge. Either the rising or the falling edge of the clock signal, K, can be configured as the
active edge. Here, the active edge is the rising one.
3.
The number of clock pulses in the dashed area depends on the latency (default latency = 7). The first clock that occurs while L is Low, latches
the address.
Figure 29: Single Synchronous Read AC Waveforms, CR4 = 0
E
G
A22–A0
L
READY_WAIT(1,2)
K(2)
VALID ADDRESS
T
GLQV
T
AVKH
T
LLKH
T
ELKH
Hi-Z
T
ELQX
T
KHQV
T
GLQX
T
KHTV
DQ15–DQ0
VALID
Hi-Z
T
ELQV
T
GLTV
T
GHTZ
High
W
DS617_23_101608
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