参数资料
| 型号： | XCF128XFTG64C |
| 厂商： | Xilinx Inc |
| 文件页数： | 39/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PROM SRL 128M GATE 64-FTBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 存储容量： | 128Mb |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-TBGA |
| 供应商设备封装： | 64-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 122-1578 |
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Platform Flash XL High-Density Configuration and Storage Device
DS617 (v3.0.1) January 07, 2010
Product Specification
44
R
Table 24: Quality and Reliability Characteristics
Symbol
Description
Min
Max
Units
TDR
Data retention
20
–
Years
NPE
Program/erase cycles (Endurance)
10,000(1)
–Cycles
VESD
Electrostatic Discharge (ESD)
2,000
–
Volts
Notes:
1.
Program/erase cycles when VPP = VDDQ. See Table 21, page 44 for program/erase cycles when VPP = VPPH.
X-Ref Target - Figure 22
Figure 22: AC Measurement I/O Waveform
X-Ref Target - Figure 23
Notes:
1.
CL includes JIG capacitance.
Figure 23: AC Measurement Load Circuit
X-Ref Target - Figure 24
Notes:
1.
CL includes JIG capacitance.
Figure 24: Connecting the READY_WAIT Pin when Using the Device
V
DDQ
0V
DS617_17_032708
V
DDQ
2
V
DDQ
C
L
(1)
22 k
Ω
Device
Under
Test
0.1 F
V
DD
0.1 F
V
DDQ
22 k
Ω
DS617_18_101608
V
DDQ
C
L
(1)
4.7 k
Ω
Device
Under
Test
0.1 F
V
DD
0.1 F
V
DDQ
DS617_19_101608
READY_WAIT
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PDF描述 |
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参数描述 |
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