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参数资料
型号： DSPB56364AF100
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 90/148页
文件大小： 0K
描述： IC DSP 24BIT AUD 100MHZ 100-LQFP
标准包装： 90
系列： DSP56K/Symphony
类型： 音频处理器
接口： 主机接口，I²C，SAI，SPI
时钟速率： 100MHz
非易失内存： ROM（24 kB）
芯片上RAM： 11.25kB
电压 - 输入/输出： 3.30V
电压 - 核心： 3.30V
工作温度： -40°C ~ 105°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 100-LQFP
供应商设备封装： 100-LQFP（14x14）
包装： 托盘
External Memory Expansion Port (Port A)
DSP56364 Technical Data, Rev. 4.1
3-30
Freescale Semiconductor
164
CAS assertion to RAS deassertion
tRSH
3.25
× T
C 4.0
45.2
—
36.6
—
ns
165
RAS assertion to CAS deassertion
tCSH
4.75
× T
C 4.0
68.0
—
55.5
—
ns
166
CAS assertion pulse width
tCAS
2.25
× T
C 4.0
30.1
—
24.1
—
ns
167
RAS assertion to CAS assertion
tRCD
2.5
× T
C ± 2
35.9
39.9
29.3
33.3
ns
168
RAS assertion to column address valid
tRAD
1.75
× T
C ± 2
24.5
28.5
19.9
23.9
ns
169
CAS deassertion to RAS assertion
tCRP
4.25
× T
C 4.0
59.8
—
49.1
—
ns
170
CAS deassertion pulse width
tCP
2.75
× T
C 4.0
37.7
—
30.4
—
ns
171
Row address valid to RAS assertion
tASR
3.25
× T
C 4.0
45.2
—
36.6
—
ns
172
RAS assertion to row address not valid
tRAH
1.75
× T
C 4.0
22.5
—
17.9
—
ns
173
Column address valid to CAS
assertion
tASC
0.75
× T
C 4.0
7.4
—
5.4
—
ns
174
CAS assertion to column address not
valid
tCAH
3.25
× T
C 4.0
45.2
—
36.6
—
ns
175
RAS assertion to column address not
valid
tAR
5.75
× T
C 4.0
83.1
—
67.9
—
ns
176
Column address valid to RAS
deassertion
tRAL
4
× T
C 4.0
56.6
—
46.0
—
ns
177
WR deassertion to CAS assertion
tRCS
2
× T
C 3.8
26.5
—
21.2
—
ns
178
CAS deassertion to WR5 assertion
tRCH
1.25
× T
C 3.7
15.2
—
11.9
—
ns
179
RAS deassertion to WR5 assertion
tRRH
0.25
× T
C 3.7
0.1
—
ns
0.25
× T
C 3.0
—
0.1
—
ns
180
CAS assertion to WR deassertion
tWCH
3
× T
C 4.2
41.3
—
33.3
—
ns
181
RAS assertion to WR deassertion
tWCR
5.5
× T
C 4.2
79.1
—
64.6
—
ns
182
WR assertion pulse width
tWP
8.5
× T
C 4.5
124.3
—
101.8
—
ns
183
WR assertion to RAS deassertion
tRWL
8.75
× T
C 4.3
128.3
—
105.1
—
ns
184
WR assertion to CAS deassertion
tCWL
7.75
× T
C 4.3
113.1
—
92.6
—
ns
185
Data valid to CAS assertion (write)
tDS
4.75
× T
C 4.0
68.0
—
55.4
—
ns
Table 3-14 DRAM Out-of-Page and Refresh Timings, Eight Wait States1, 2 (continued)
No.
Characteristics3
Symbol
Expression4
66 MHz
80 MHz
Unit
Min
Max
Min
Max
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