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参数资料
| 型号： | FDSS2407 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 62V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 62V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.27W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
1.2
1.0
T A = 25°C unless otherwise noted
4
V GS = 10V
3
0.8
0.6
2
V GS = 5V
0.4
1
0.2
R θ JA = 55 o C/W
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE
( o C)
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
P DM
R θ JA = 55 o C/W
t 1
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 2
0.01
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
200
100
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
R θ JA = 55 o C/W
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 - T A
I = I 25
125
V GS = 5V
10
V GS = 10V
3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
FDSS2407 Rev. A
4
www.fairchildsemi.com
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