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参数资料
| 型号： | FDSS2407 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 62V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 62V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.27W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (Continued) T A = 25°C unless otherwise noted
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.9
I D = 5mA
-80
-40
0
40
80
120
160
-80
-40
0
40
80
120
160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
6
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
1000
5
4
FBK voltage measured across
a 51K ? load resistor.
C ISS = C GS + C GD
3
2
T J = 25 o C
T J = 150 o C
T J = -55 o C
100
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
1
V GS = 0V, f = 75kHz
0
10
20
30
40
50
60
70
0.1
1
10
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Feedback Voltage vs Drain to Source
Voltage
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
500
400
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 5V, I D = 3A
10
8
T J = 150 o C
V GS = V DS
I D = 250 μ A
T J = 25 o C
300
200
T J = 150 o C
T J = 25 o C
6
4
T J = -55 o C
100
0
T J =
-55 o C
2
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
V DIS , GATE DISABLE VOLTAGE (V)
Figure 15. Drain to Source On Resistance vs
Gate Disable Voltage
FDSS2407 Rev. A
6
V DIS , GATE DISABLE VOLTAGE (V)
Figure 16. Gate to Source Voltage vs Gate
Disable Voltage
www.fairchildsemi.com
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