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参数资料
| 型号： | FDSS2407 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 62V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 62V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.27W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (Continued) T A = 25°C unless otherwise noted
10
V DD = 30V
8
6
4
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 3.3A
I D = 1A
0
0
2
4
6
8
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate Charge Waveforms for Constant Gate Currents
Test Circuits and Waveforms
V DS
L
I AS
t P
BV DSS
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
V GS
R G
DUT
+
-
V DD
V DD
0V
t P
I AS
0
0.01 ?
t AV
Figure 18. Unclamped Energy Test Circuit
V DS
Figure 19. Unclamped Energy Waveforms
R L
V DD
Q g(TOT)
I g(REF)
V GS
DUT
+
-
V DD
V GS = 1V
0
I g(REF)
0
Q gs2
Q g(TH)
Q gs
Q gd
V DS
V GS
V GS = 5V
Figure 20. Gate Charge Test Circuit
FDSS2407 Rev. A
7
Figure 21. Gate Charge Waveforms
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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