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参数资料
| 型号： | HY27SS16561M-FCP |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件页数： | 1/44页 |
| 文件大小： | 644K |
| 代理商： | HY27SS16561M-FCP |
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This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for
use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 0.4 / Jun. 2004
1
Preliminary
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Document Title
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash Memory
Revision History
No.
History
Draft Date
Remark
0.0
Initial Draft
Jul. 10. 2003
Preliminary
0.1
Renewal Product Group
Dec. 08. 2003
Preliminary
0.2
Append 1.8V Operation Product to Data sheet
Dec. 08. 2003
Preliminary
0.3
Insert Spare Enable function for GND Pin(#6)
- In case of Reading or Programming, GND Pin(#6) should be Low
or High.
- Change the test condition of Stand-by current-Refer to Table 13.
Change CSP Package name & thickness
- Name : VFBGA -> FBGA
- Thickness : 1.0mm(max) -> 1.2mm(max)
Mar. 08. 2004
Preliminary
0.4
1) Delete Cache Program Mode
2) Modify the description of Device Operations
- /CE Don’t Care Enabled(Disabled) -> Sequential Row Read
Disabled(Enabled) (Page23)
Jun. 01. 2004
Preliminary
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UG084G2M-UPIP | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PBGA52 |
| HY27UG084GDM-TPIS | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| HY29F040AC-55E | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
| HY5116160CTC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
| HY5116404BSLR-60 | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27SS561M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SSXXX | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27UA081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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