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参数资料
| 型号： | HY27SS16561M-FCP |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 10000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件页数： | 20/44页 |
| 文件大小： | 644K |
| 代理商： | HY27SS16561M-FCP |
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Rev 0.4 / Jun. 2004
27
Preliminary
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Table 13: DC Characteristics, 3.3V Device and 1.8V Device
Symbol
Parameter
Test Condition
3.3V Device
1.8V Device
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
ICC1
Operating
Current
Sequentia
Read
tRLRL minimum
CE=VIL, IOUT = 0 mA
-10
20
-
8
15
mA
ICC2
Program
-
10
20
-
8
15
mA
ICC3
Erase
-
10
20
-
8
15
mA
ICC4
Stand-by Current (TTL)
CE=VIH, WP=0V/VCC,
GND(Pin #6)=0V/Vcc
--
1
-
1
mA
ICC5
Stand-By Current
(CMOS)
CE=VCC-0.2, WP=0/VCC
GND(Pin #6)=0V/Vcc
-
10
50
-
10
50
uA
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VCCmax
-
±
10
-
±
10
uA
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VCCmax
-
±
10
-
±
10
uA
VIH
Input High Voltage
-
2.0
-
VCC+0.3
VCC-0.4
VCC+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.8
-0.3
0.4
V
VOH
Output High Voltage
Level
IOH = -400uA
(for 3.3V Device)
IOH = -100uA
(for 1.8V Device)
2.4
-
VCC-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Lev-
el
IOL = 2.1mA
(for 3.3V Device)
IOL = 100uA
(for 1.8V Device)
--
0.4
-
0.1
V
IOL(RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.4V
(for 3.3V Device)
VOL = 0.1V
(for 1.8V Device)
810
-
3
4
-
mA
VLKO
VDD Supply Voltage
(Erase and Program
lockout)
-
2.5
-
1.5
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27SS561M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SSXXX | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
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| HY27UA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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